Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln IXYP15N65C3D1

IXYS IXYP15N65C3D1

Artikelnummer
IXYP15N65C3D1
Hersteller
IXYS
Beschreibung
IGBT 650V 38A 200W TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
IXYS

IXYS

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Produktparameter
Artikelnummer IXYP15N65C3D1
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 38A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 80A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
Leistung max 200W
Energie wechseln 270µJ (on), 230µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/68ns
Testbedingung 400V, 15A, 20 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 110ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB
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