provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | 2N3811L |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | 2 PNP (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
| Leistung max | 350mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-78-6 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-78-6 |
