provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT100GT120JU2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 140A |
| Leistung max | 480W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.2nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Auf Lager: 14
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Auf Lager: 3
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Auf Lager: 7
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Auf Lager: 30
