provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT35GN120BG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 94A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 105A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Leistung max | 379W |
| Energie wechseln | 2.315mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 220nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 24ns/300ns |
| Testbedingung | 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Auf Lager: 31
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Auf Lager: 564
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Auf Lager: 17
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Auf Lager: 2903
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Auf Lager: 125
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Auf Lager: 77
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Auf Lager: 3
