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| Artikelnummer | APT50GT120B2RDLG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 106A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 150A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Leistung max | 694W |
| Energie wechseln | 3585µJ (on), 1910µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 240nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 23ns/215ns |
| Testbedingung | 800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 135A 781W TMAX
Auf Lager: 7
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 120A 521W SOT227
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 135A 781W TO264
Auf Lager: 95
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227
Auf Lager: 10
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 134A 543W TO-247
Auf Lager: 19
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 134A 543W TO264
Auf Lager: 71
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 107A 366W TO247
Auf Lager: 114
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 107A 366W TO247
Auf Lager: 0
