Artikelnummer | APT60DF60HJ |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 600V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 90A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.3V @ 60A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Auf Lager: 2
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Auf Lager: 3
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 25
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Auf Lager: 375
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Auf Lager: 0