Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APT75GT120JU2

Microsemi Corporation APT75GT120JU2

Artikelnummer
APT75GT120JU2
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 100A 416W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)

  • 1 pcs

    15.88000/pcs

  • 10 pcs

    14.69050/pcs

  • 25 pcs

    13.49920/pcs

  • 100 pcs

    12.54630/pcs

  • 250 pcs

    11.51402/pcs
Gesamt:15.88000/pcs Unit Price:
15.88000/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT75GT120JU2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 416W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall ISOTOP
Lieferantengerätepaket SOT-227
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