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| Artikelnummer | APT80SM120B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 555W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
Auf Lager: 0
