Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APTGF150A120T3WG

Microsemi Corporation APTGF150A120T3WG

Artikelnummer
APTGF150A120T3WG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APTGF150A120T3WG
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 210A
Leistung max 961W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
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