provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APTM50H15FT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5448pF @ 25V |
| Leistung max | 208W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
Auf Lager: 45
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
Auf Lager: 0
