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| Artikelnummer | APTMC120TAM12CTPAG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 220A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 150A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 30mA (Typ) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 483nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 1000V |
| Leistung max | 925W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6-P |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V SP3F
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P
Auf Lager: 0
