Artikelnummer | JAN1N5804US |
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Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Dioden-Typ | Standard |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 2.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 2.5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SQ-MELF, A |
Lieferantengerätepaket | D-5A |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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