Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln JAN2N3019S

Microsemi Corporation JAN2N3019S

Artikelnummer
JAN2N3019S
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Produktparameter
Artikelnummer JAN2N3019S
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V
Leistung max 800mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-39
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