provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | JAN2N4261UB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 30mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 15V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1mA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 1V |
| Leistung max | 200mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | UB |
