Artikelnummer | JAN2N4957 |
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Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Transistor-Typ | PNP |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 30V |
Frequenz - Übergang | - |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Gewinnen | 25dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 30mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-72-3 Metal Can |
Lieferantengerätepaket | TO-72 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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