Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln JAN2N6251T1

Microsemi Corporation JAN2N6251T1

Artikelnummer
JAN2N6251T1
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS NPN 350V 10A TO-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Produktparameter
Artikelnummer JAN2N6251T1
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 350V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.67A, 10A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 6 @ 10A, 3V
Leistung max 6W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Lieferantengerätepaket TO-254AA
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