Artikelnummer | JANS2N5665 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 5A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 300V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 5A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 200nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 5V |
Leistung max | 2.5W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-213AA, TO-66-2 |
Lieferantengerätepaket | TO-66 (TO-213AA) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200MA DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 15V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 27V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 30V 500MW DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 47V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO204AL
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