Artikelnummer | JANTX1N5819-1 |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Schottky |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 45V |
Kapazität @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 125°C |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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