Artikelnummer | JANTX2N1613 |
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Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 30V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Leistung max | 800mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Lieferantengerätepaket | TO-39 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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