Artikelnummer | JANTX2N2369AUB |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 15V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 400nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 400mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
Lieferantengerätepaket | UB |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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