Artikelnummer | JANTX2N3960 |
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Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
Leistung max | 400mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Lieferantengerätepaket | TO-18 (TO-206AA) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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