Artikelnummer | JANTX2N6211 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | PNP |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 2A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 225V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 125mA, 1A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1A, 5V |
Leistung max | 3W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-213AA, TO-66-2 |
Lieferantengerätepaket | TO-66 (TO-213AA) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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