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| Artikelnummer | JANTXV2N6300 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 8A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Leistung max | 75W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-213AA, TO-66-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-66 (TO-213AA) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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