Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays SG2803J-883B

Microsemi Corporation SG2803J-883B

Artikelnummer
SG2803J-883B
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Produktparameter
Artikelnummer SG2803J-883B
Teilstatus Active
Transistor-Typ 8 NPN Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket 18-CDIP
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