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| Artikelnummer | PH9025L,115 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1414pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 10A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
Hersteller: Pulse Electronics Corporation
Beschreibung: XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB
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Hersteller: Pulse Electronics Corporation
Beschreibung: XFMR GATE-DR 2CT:1CT SM NPB
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Hersteller: Pulse Electronics Corporation
Beschreibung: XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB
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Hersteller: Pulse Electronics Corporation
Beschreibung: XFMR GATE-DR 4CT:3CT SM NPB
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