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| Artikelnummer | 55GN01CA-TB-E |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 4.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
| Gewinnen | 9.5dB |
| Leistung max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 70mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | 3-CP |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
Auf Lager: 6000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP
Auf Lager: 8000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP
Auf Lager: 117000
