Artikelnummer | BCW66GLT3G |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 800mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 45V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 20nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 300mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
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Hersteller: Infineon Technologies
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