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| Artikelnummer | ECH8601M-TL-H |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 24V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 8-ECH |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
Auf Lager: 6000
