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ON Semiconductor NGTD14T65F2WP

Artikelnummer
NGTD14T65F2WP
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer NGTD14T65F2WP
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Leistung max -
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die
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