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| Artikelnummer | NSVDTC123EM3T5G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 2.2k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 2.2k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 260mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-723 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-723 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PNP 50V BIPOLAR SC75-3
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PNP 50V BIPOLAR SOT-723
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PNP 50V BIPOLAR SC75-3
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PNP 50V SC75
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
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