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| Artikelnummer | NTJD1155LT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 8V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.3A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 400mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
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