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| Artikelnummer | NTMFD4C86NT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11.3A, 18.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1153pF @ 15V |
| Leistung max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Auf Lager: 1500
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
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Hersteller: ON Semiconductor
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