Artikelnummer | NVMFD5489NLT1G |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Leistung max | 3W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Auf Lager: 9000
Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
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