Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln RJH60D7DPQ-E0#T2

Renesas Electronics America RJH60D7DPQ-E0#T2

Artikelnummer
RJH60D7DPQ-E0#T2
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
IGBT 600V 90A 300W TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Gesamt:3.38000/pcs Unit Price:
3.38000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer RJH60D7DPQ-E0#T2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 90A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Leistung max 300W
Energie wechseln 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 130nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 60ns/190ns
Testbedingung 300V, 50A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 100ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
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