Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln RJH60F7DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America RJH60F7DPQ-A0#T0

Artikelnummer
RJH60F7DPQ-A0#T0
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
IGBT 600V 90A 328.9W TO247A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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    3.16000/pcs
  • 10 pcs

    2.82250/pcs
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    2.54020/pcs
  • 100 pcs

    2.31450/pcs
  • 250 pcs

    2.08868/pcs
  • 500 pcs

    1.87416/pcs
  • 1,000 pcs

    1.58062/pcs
Gesamt:3.16000/pcs Unit Price:
3.16000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer RJH60F7DPQ-A0#T0
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 90A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 50A
Leistung max 328.9W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 63ns/142ns
Testbedingung 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 90ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247A
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