Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln RJP4009ANS-01#Q6

Renesas Electronics America RJP4009ANS-01#Q6

Artikelnummer
RJP4009ANS-01#Q6
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
IGBT 400V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Produktparameter
Artikelnummer RJP4009ANS-01#Q6
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 400V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 9V @ 2.5V, 150A
Leistung max 1.8W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN
Lieferantengerätepaket -
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Hersteller: Renesas Electronics America

Beschreibung: IGBT 400V

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