renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.
| Artikelnummer | RJU6052SDPD-E0#J2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 20A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3V @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 25ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP
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