Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln STGWT80H65DFB

STMicroelectronics STGWT80H65DFB

Artikelnummer
STGWT80H65DFB
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:3.75000/pcs Unit Price:
3.75000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer STGWT80H65DFB
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 120A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 240A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Leistung max 469W
Energie wechseln 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 414nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 84ns/280ns
Testbedingung 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 85ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3P
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