Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STP16N65M2

STMicroelectronics STP16N65M2

Artikelnummer
STP16N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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  • 1,000 pcs

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Gesamt:1.35500/pcs Unit Price:
1.35500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer STP16N65M2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 718pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 110W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Fall TO-220-3
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