Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STP9NM60N

STMicroelectronics STP9NM60N

Artikelnummer
STP9NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:1.17000/pcs Unit Price:
1.17000/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer STP9NM60N
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 452pF @ 50V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 70W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 745 mOhm @ 3.25A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
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