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| Artikelnummer | BQ4011YMA-200 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | NVSRAM |
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 200ns |
| Zugriffszeit | 200ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| Lieferantengerätepaket | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
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Hersteller: Texas Instruments
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
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