Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln CSD18510KCS

Texas Instruments CSD18510KCS

Artikelnummer
CSD18510KCS
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Texas Instruments

Texas Instruments

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer CSD18510KCS
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 200A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11400pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 250W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3
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