Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln CSD18540Q5BT

Texas Instruments CSD18540Q5BT

Artikelnummer
CSD18540Q5BT
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Texas Instruments

Texas Instruments

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer CSD18540Q5BT
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4230pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 28A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-VSON (5x6)
Paket / Fall 8-PowerTDFN
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