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| Artikelnummer | CSD86330Q3D |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
| Leistung max | 6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-LSON (5x6) |
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Auf Lager: 3500
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Auf Lager: 7500
