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| Artikelnummer | CSD88599Q5DCT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4840pF @ 30V |
| Leistung max | 12W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 22-PowerTFDFN |
| Lieferantengerätepaket | 22-VSON-CLIP (5x6) |
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET ARRAY 2N-CH 40A 22VSON
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 22VSON
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET ARRAY 2N-CH 60A 22VSON
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 22VSON
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