Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2SA1312GRTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF

Artikelnummer
2SA1312GRTE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktparameter
Artikelnummer 2SA1312GRTE85LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 120V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Leistung max 150mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket S-Mini
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