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Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)

Artikelnummer
GT8G133(TE12L,Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktparameter
Artikelnummer GT8G133(TE12L,Q)
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 400V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
Leistung max 600mW
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 1.7µs/2µs
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
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