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| Artikelnummer | RN1102T5LFT |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 100mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-75, SOT-416 |
| Lieferantengerätepaket | SSM |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
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