Toshiba Semiconductor and Storage RN1305,LF

Artikelnummer: RN1305,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung

Toshiba Semiconductor and Storage

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0.01785/pcs
30,000 pcs
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Menge:

Produktparameter

Artikelnummer	RN1305,LF
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	500nA
Frequenz - Übergang	250MHz
Leistung max	100mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket	USM