Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung RN2706JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F)

Artikelnummer
RN2706JE(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktparameter
Artikelnummer RN2706JE(TE85L,F)
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-553
Lieferantengerätepaket ESV
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